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发布时间2016/10/12 点击：
AIN陶瓷具有优良的绝缘性、导热性、耐高温性、耐腐蚀性以及与硅的热膨胀系数相匹配等优点。成为新一代大规模集成电路、半导体模块电路及大功率器件的理想散热和封装材料。但是AIN粉末极易水解，一方面给运输、存储带来困难，另一方面，阻碍了AIN陶瓷水基成型工艺的发展。而传统的非水基成型成本较高，成型后坯体均匀性差，并且存在环境污染问题。氮含量是影响AIN陶瓷性能的重要因素。
由于AIN粉末在存放过程中易水解生成AL((OH)3,因此AIN颗粒的表面总是存在羟基，羟基可以与酸中的羟基发生类似脂化反应，从而在AIN颗粒表面形成酯保护膜，阻止其水解。
在磷酸二氢铝和磷酸的添加质量分别为氮化铝质量的1%和2.5%、球磨时间为2h、球料质量比为3:1的条件下，氮化铝的改性效果极佳;改性氮化铝粉末在60c水中侵泡24h后，其氮质量分数为32.97%，且其X射线衍射谱图中未发现氢氧化铝相，说明其抗水解能力得到显著提高；改性氮化铝粉末在水中高速球磨16h后，其氮质量分数约为32%，氮化铝悬浮液的PH约为6，说明其在水基球磨过程中具有较好的稳定性。
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